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金纳米阵列电极的制备方法
[ 作者:佚名 来源:哈工大(威海)科学技术处 浏览:2226 录入时间:2010年11月4日 ]

金纳米阵列电极的制备方法

申 请 (专利) 号:

200710113451

申 请 日:

20071017

名 称:

金纳米阵列电极的制备方法

公 开 (公告) 号:

10122551

公开(公告)日:

20080723

国 际 分 类 号:

C23C 18/06C23C 18/42C30B 29/02C30B 7/14G01N 27/30

范畴分类号:

25F

申请(专利权)人:

哈尔滨工业大学(威海)

地 址:

264209山东省威海市文化西路2

发 明 (设计)人:

曹立新、闫培生、孙克宁

国家/省市:

         

    本发明涉及一种金纳米阵列电极的制备方法,其以聚碳酸酯滤膜为模板,经过对聚碳酸酯滤膜进行化学镀前处理、化学镀、化学镀后酸浸和清洗等处理,在前处理、酸浸和清洗各步操作中均辅以超声波处理,化学镀金后采用稀氰化钠浸润的脱脂棉轻擦滤膜的表面,再用甲醇清洗,利用机械作用和化学作用相结合的办法,有效去除一表面的金膜,形成金纳米阵列,将上述滤膜粘贴在集电体上,组装成金纳米阵列电极。扫描电子显微镜测得阵列中单个金纳米圆盘直径为10~100纳米,能量色散X射线光谱测试该阵列组成为纯金。循环伏安法对电极进行表征,该电极具有高传质速率、低双电层充电电流、能有效提高信噪比和检测极限等优点。本发明方法设计巧妙、操作简单,重现性好。

文章发布员:石景卉
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