金纳米阵列电极的制备方法
发布者:石景卉 编辑:科技发展处 发布时间:2010年11月04日
申 请 (专利) 号: | 200710113451 | 申 请 日: | 20071017 |
名 称: | 金纳米阵列电极的制备方法 |
公 开 (公告) 号: | 10122551 | 公开(公告)日: | 20080723 |
国 际 分 类 号: | C23C 18/06、C23C 18/42、C30B 29/02、C30B 7/14、G01N 27/30 | 范畴分类号: | 25F |
申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学(威海) |
地 址: | 264209山东省威海市文化西路2号 |
发 明 (设计)人: | 曹立新、闫培生、孙克宁 | 国家/省市: | 山 |
摘 要 本发明涉及一种金纳米阵列电极的制备方法,其以聚碳酸酯滤膜为模板,经过对聚碳酸酯滤膜进行化学镀前处理、化学镀、化学镀后酸浸和清洗等处理,在前处理、酸浸和清洗各步操作中均辅以超声波处理,化学镀金后采用稀氰化钠浸润的脱脂棉轻擦滤膜的表面,再用甲醇清洗,利用机械作用和化学作用相结合的办法,有效去除一表面的金膜,形成金纳米阵列,将上述滤膜粘贴在集电体上,组装成金纳米阵列电极。扫描电子显微镜测得阵列中单个金纳米圆盘直径为10~100纳米,能量色散X射线光谱测试该阵列组成为纯金。循环伏安法对电极进行表征,该电极具有高传质速率、低双电层充电电流、能有效提高信噪比和检测极限等优点。本发明方法设计巧妙、操作简单,重现性好。 |
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